目前的半导体电荷存储技术有两类，一类是易失性，如计算机中的内存，掉电后数据会立即消失，第二类是非易失性，如U盘，数据可保存很长时间。然而二者就像是一对矛盾，现有技术难以做到兼顾。复旦大学微电子学院张卫、周鹏团队在经过科研攻关后，终于实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术。相关成果于今天（北京时间4月10日）在线发表于国际著名学术期刊《自然.纳米技术》。

据介绍，这次研发的新型电荷存储技术，突破了现有存储技术的短板，既满足了10纳秒写入数据的高速度，又实现了从10秒到10年按需定制的可调控数据保存时长。而技术实现的关键，就在于团队创新性地选择了多重二维材料，充分发挥它们的丰富能带特性。一部分如同一道可随手开关的门，电子易进难出，别一部分则像一面密不透风的墙，电子难以进出。对写入速度和非易失性的调控，就在于这两部分的比例。

复旦大学微电子学院教授，论文通讯作者、第一作者周鹏介绍，一直以来，我们使用的存储器中，一种为易失，就是掉电数据就没有了，另一种叫非易失，就是掉电还能保存。一直以来都这样用，但实际上中间有一个很大的时间尺度的鸿沟。我们这次实现的一个突破，弥补了这样的鸿沟，在易失和非易失之间，就是架了这么一个桥梁，叫准非易失。

团队中年仅26岁的博士研究生刘春森，也是论文的第一作者。他说觉得科研其是就是一个发现矛盾，解决问题的过程。团队就是在易失与非易失的矛盾中看到了一个新的东西。“就是我们是不是能既做到快，又能做到数据保存能力还可以。在国际上我们首次提出这个课题，这也是我们为什么去做，就是因为没有人做，我们才选择去做这个课题，然后也非常幸运地刚好成功了。”

这种全新特性不仅在高速内存中可以极大降低存储功耗，同时还可以实现数据在一定有效期后自然消失，用于特殊应用场景的数据保密。此外，在人工智能开发等领域也将发挥特殊作用。

论文通讯作者、复旦大学微电子学院执行院长张卫教授打了个有趣的比方：我们大脑里面会对某些事情记忆功能会很长，有些事情过一段时间就没了。那如果单纯地用现有的存储技术，不管是用易失性的还是非易失性的，在模拟的时候是会出现两个极端的，要么很快忘却，要么花很多时间记忆，如果用这个第三类存储技术的话，就可以随意地裁剪存储时间，模仿人类的短时记忆和长时间记忆，这样的话当然会更接近人脑实际真实的情况。这当然还是个猜想应用！

（看看新闻Knews记者：周云 实习生：褚梦宇 编辑：朱佳伟）